SUP65P06-20参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

SUP65P06-20图片1

SUP65P06-20图片2

SUP65P06-20中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -60.0 V

漏源极电阻 20.0 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 250 W

漏源击穿电压 -60.0 V min

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids -65.0 A

上升时间 40.0 ns

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买SUP65P06-20

型号： SUP65P06-20

制造商： Vishay Siliconix

描述：P-Channel 60V D-S, 175C MOSFET

替代型号SUP65P06-20

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SUP65P06-20 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SPB80P06P 英飞凌	功能相似	SUP65P06-20和SPB80P06P的区别
SUM55P06-19L-E3 Vishay Siliconix	功能相似	SUP65P06-20和SUM55P06-19L-E3的区别
SPB80P06PG 英飞凌	功能相似	SUP65P06-20和SPB80P06PG的区别