SI4776DY-T1-GE3

SI4776DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 13 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 2.5 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 11.9A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 521pF @15VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOP-8

外形尺寸

封装 SOP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 2500

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4776DY-T1-GE3
型号: SI4776DY-T1-GE3
制造商: VISHAY 威世
描述:N沟道30 V ( D- S)的MOSFET与肖特基二极管 N-Channel 30 V D-S MOSFET with Schottky Diode

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