SI1900DL-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI1900DL-T1-GE3概述

MOSFET Dual 30V N-CH TRENCH

MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 630mA Ta，590mA Ta 300mW，270mW 表面贴装型 SC-70-6

得捷:
MOSFET 2 N-CH 30V SC70-6

贸泽:
MOSFET Dual 30V N-CH TRENCH

SI1900DL-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 30 V

额定功率Max 300mW, 270mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-363-6

外形尺寸

长度 2.1 mm

宽度 1.25 mm

高度 1 mm

封装 SOT-363-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI1900DL-T1-GE3

型号： SI1900DL-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET Dual 30V N-CH TRENCH