SIS780DN-T1-GE3

SIS780DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 11 mΩ

极性 N-CH

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 18A

输入电容Ciss 722pF @15VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3500 mW

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPak-1212-8

外形尺寸

封装 PowerPak-1212-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SIS780DN-T1-GE3
制造商: VISHAY 威世
描述:N沟道30 V ( D- S)的MOSFET与肖特基二极管 N-Channel 30 V D-S MOSFET with Schottky Diode

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