SID1182K-TL参数规格_中文资料_数据手册PDF

SID1182K-TL概述

MOSFET驱动器, 高压侧与低压侧, 4.75 V至5.25 V电源, 8 A输出, 262 ns延迟, eSOP-16

8A 栅极驱动器磁耦合 5000Vrms 通道 eSOP-R16B

得捷:
DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

贸泽:
Gate Drivers Sgl Ch 8.0A Fluxlink 250kHz Delay 260ns

e络盟:
MOSFET驱动器, 高压侧与低压侧, 4.75 V至5.25 V电源, 8 A输出, 262 ns延迟, eSOP-16

SID1182K-TL中文资料参数规格

技术参数

上升/下降时间 90ns, 81ns

输出电流 8 A

通道数 1

针脚数 16

耗散功率 1790 mW

上升时间 465 ns

隔离电压 5000 Vrms

下降时间 460 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压Max 5.25 V

电源电压Min 4.75 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 ESOP-16

外形尺寸

封装 ESOP-16

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买SID1182K-TL

型号： SID1182K-TL

制造商： Power Integrations 帕沃英蒂格盛

描述：MOSFET驱动器, 高压侧与低压侧, 4.75 V至5.25 V电源, 8 A输出, 262 ns延迟, eSOP-16

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替代型号SID1182K-TL

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