STP9N80K5参数规格_中文资料_数据手册PDF

STP9N80K5概述

N-CH 800V 7A

通孔 N 通道 800 V 7A（Tc） 110W（Tc） TO-220

得捷:
MOSFET N-CHANNEL 800V 7A TO220

贸泽:
MOSFET POWER MOSFET

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube

安富利:
MOS Power Transistors HV >= 200V

STP9N80K5中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 730 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 110 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 80 V

连续漏极电流Ids 7A

上升时间 5.7 ns

输入电容Ciss 340pF @100VVds

下降时间 13.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 110000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead free

数据手册

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型号： STP9N80K5

描述：N-CH 800V 7A