SQ2348ES-T1_GE3概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 30 V, 0.02 ohm, 10 V, 2 V
MOSFET
立创商城:
N沟道 30V 8A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 3-Pin TO-236 T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 8A SOT-23
SQ2348ES-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.02 Ω
极性 N-CH
耗散功率 3 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 8A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 540pF @15VVds
下降时间 6 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3W Tc
封装参数
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 3000
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99