STGB30H60DLLFBAG

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STGB30H60DLLFBAG概述

600V, 30A high speed trench gate field-stop IGBT

IGBT 沟槽型场截止 表面贴装型 D2PAK


得捷:
IGBT


贸泽:
STMicroelectronics 600 V, 30 A high speed trench gate field-stop IGBT


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260000mW Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
HB Series Trench Gate Field-Stop IGBT 600V 30A Automotive 3-Pin D2PAK Tray


STGB30H60DLLFBAG中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 260000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 260 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 260000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STGB30H60DLLFBAG
型号: STGB30H60DLLFBAG
描述:600V, 30A high speed trench gate field-stop IGBT

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