SSTA06HZGT116

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SSTA06HZGT116概述

单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 350 mW, 500 mA, 100 hFE

晶体管 - 双极 BJT - 单 NPN 100MHz 表面贴装型 SST3


欧时:
NPN Transistor


得捷:
TRANS NPN 80V 0.5A SST3


贸泽:
ROHM Semiconductor


e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 350 mW, 500 mA, 100 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


安富利:
General Purpose Transistor NPN 80V 500mA 3-Pin SOT-23 T/R


SSTA06HZGT116中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.35 W

针脚数 3

耗散功率 350 mW

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V

额定功率Max 200 mW

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买SSTA06HZGT116
型号: SSTA06HZGT116
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 350 mW, 500 mA, 100 hFE

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