STGF10M65DF2参数规格_中文资料_数据手册PDF

STGF10M65DF2概述

IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss

IGBT 沟槽型场截止通孔 TO-220FP

得捷:
IGBT TRENCH 650V 20A TO220FP

贸泽:
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 20A 30000mW 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube

STGF10M65DF2中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 30 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 96 ns

额定功率Max 30 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 30000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号： STGF10M65DF2

描述：IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss