SI2301BDS-T1

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SI2301BDS-T1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 700 mW

上升时间 40 ns

下降时间 40 ns

封装参数

引脚数 3

封装 TO-236-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

高度 1.45 mm

封装 TO-236-3

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买SI2301BDS-T1
型号: SI2301BDS-T1
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOSFET 20V 2.4A 0.7W
替代型号SI2301BDS-T1
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