SIR664DP-T1-GE3

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SIR664DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 6 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 5 W

阈值电压 1.3V ~ 2.5V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 60A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 1750pF @30VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 5000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerPAKSO-8

外形尺寸

封装 PowerPAKSO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 2500

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SIR664DP-T1-GE3
型号: SIR664DP-T1-GE3
制造商: VISHAY 威世
描述:SOIC-8 N-CH 60V 60A 6mΩ

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