SQJ912AEP-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 9.3 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 48000 mW
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 30A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 1438pF @20VVds
下降时间 11 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 48000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 2500
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99