SI9925DY

SI9925DY中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 50.0 mΩ

极性 Dual N-Channel

耗散功率 2.00 W

漏源击穿电压 20.0 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids 5.00 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO

外形尺寸

封装 SO

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

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型号: SI9925DY
制造商: Vishay Siliconix
描述:Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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