SI4874DY-T1-E3

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SI4874DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

额定电流 15.0 A

漏源极电阻 7.50 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 3.10 W

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids -15.0 A to 15.0 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 SO-8

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI4874DY-T1-E3
型号: SI4874DY-T1-E3
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOSFET 30V 15A 3.1W
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