漏源极电阻 37.0 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 1.30 W
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids -5.00 A
安装方式 Surface Mount
封装 ChipFET-8
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
高度 1.1 mm
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
数据手册