SI3458DV-T1

SI3458DV-T1中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 100 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.00 W

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 3.20 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSOP-6

外形尺寸

封装 TSOP-6

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SI3458DV-T1
制造商: Vishay Siliconix
描述:Mosfet n-Ch 60V 3.2A 6-Tsop

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