SIDC81D60E6X1SA3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SIDC81D60E6X1SA3概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1Element, 200A, 600V VRRM, Silicon, 9 X 9MM, DIE-1

标准 200A（DC）表面贴装型带箔切割晶片

得捷:
DIODE GP 600V 200A WAFER

艾睿:
Diode Switching 600V 200A 2-Pin Die Wafer

安富利:
Diode Switching 600V 200A DIE

SIDC81D60E6X1SA3中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1.25V @200A

正向电流Max 200 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 --

外形尺寸

封装 --

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

制造应用 icon-smps, insdustrial-drives

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买SIDC81D60E6X1SA3

型号： SIDC81D60E6X1SA3

描述：Rectifier Diode, 1 Phase, 1Element, 200A, 600V VRRM, Silicon, 9 X 9MM, DIE-1