STGWA30H65FB

STGWA30H65FB概述

单晶体管, IGBT, 60 A, 1.75 V, 260 W, 650 V, TO-247, 3 引脚

IGBT Trench Field Stop 650V 60A 260W Through Hole TO-247 Long Leads


得捷:
IGBT


贸泽:
STMicroelectronics Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed


e络盟:
单晶体管, IGBT, 60 A, 1.75 V, 260 W, 650 V, TO-247, 3 引脚


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
STMSTGWA30H65FB


Win Source:
IGBT / IGBT Trench Field Stop 650 V 60 A 260 W Through Hole TO-247 Long Leads


STGWA30H65FB中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

耗散功率 260 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

额定功率Max 260 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 260000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STGWA30H65FB
型号: STGWA30H65FB
描述:单晶体管, IGBT, 60 A, 1.75 V, 260 W, 650 V, TO-247, 3 引脚

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