SH8M24GZETB

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SH8M24GZETB概述

双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6 A, 45 V, 0.033 ohm, 10 V, 10 V

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 45V 6A(Ta) 1.4W(Ta) 表面贴装型 8-SOP


得捷:
4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. COMPLEX


贸泽:
MOSFET


e络盟:
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 45 V, 6 A, 0.033 ohm, SOP, 表面安装


SH8M24GZETB中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.033 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 3.1 W

阈值电压 10 V

漏源极电压Vds 45 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOP-8

外形尺寸

封装 SOP-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买SH8M24GZETB
型号: SH8M24GZETB
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6 A, 45 V, 0.033 ohm, 10 V, 10 V

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