SI2372DS-T1-GE3

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SI2372DS-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 0.96 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 4A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 288pF @15VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 960mW Ta, 1.7W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SI2372DS-T1-GE3
型号: SI2372DS-T1-GE3
制造商: VISHAY 威世
描述:SOT-23 N-CH 30V 4A

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