SQM40010EL_GE3

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SQM40010EL_GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.00121 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 375 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 40 V

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 13630pF @20VVds

下降时间 14 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 375000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-263

外形尺寸

封装 TO-263

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SQM40010EL_GE3
型号: SQM40010EL_GE3
制造商: VISHAY 威世
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.00121 ohm, 10 V, 2 V

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