STB10LN80K5

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STB10LN80K5概述

N沟道 800V 8A

表面贴装型 N 通道 8A(Tc) 110W(Tc) D2PAK


得捷:
MOSFET N-CHANNEL 800V 8A D2PAK


立创商城:
N沟道 800V 8A


贸泽:
MOSFET POWER MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin D2PAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CHANNEL 800V 8A D2PAK / N-Channel 800 V 8A Tc 110W Tc Surface Mount D²PAK TO-263


STB10LN80K5中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 550 mΩ

耗散功率 110 W

阈值电压 3 V

漏源击穿电压 800 V

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 427pF @100VVds

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 110000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: STB10LN80K5
描述:N沟道 800V 8A

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