SQ3425EV-T1_GE3

SQ3425EV-T1_GE3图片1
SQ3425EV-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 5 W

上升时间 26 ns

输入电容Ciss 560pF @10VVds

下降时间 28 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 5000 mW

封装参数

引脚数 6

封装 TSOP

外形尺寸

封装 TSOP

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SQ3425EV-T1_GE3
型号: SQ3425EV-T1_GE3
制造商: VISHAY 威世
描述:MOS Power Transistors LV =< 40V

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