SQ2303ES-T1_GE3概述
SQ2303ES-T1_GE3 编带
MOSFET
立创商城:
P沟道 30V 2.5A
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
SQ2303ES-T1_GE3
Win Source:
MOSFET P-CHAN 30V SOT23
SQ2303ES-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 370 mΩ
极性 P-CH
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 2.5A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 168pF @25VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.9W Tc
封装参数
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.60 mm
高度 1.45 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
包装方式 Tape & Reel TR
最小包装 3000
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free