SIA469DJ-T1-GE3

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SIA469DJ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.021 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 3.3 W

输入电容Ciss 1020pF @15VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3300 mW

封装参数

引脚数 6

封装 SC-70

外形尺寸

封装 SC-70

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SIA469DJ-T1-GE3
型号: SIA469DJ-T1-GE3
制造商: VISHAY 威世
描述:晶体管, MOSFET, P沟道, -12 A, -30 V, 0.021 ohm, -10 V, -3 V

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