SST3906HZGT116概述
单晶体管 双极, PNP, -40 V, 250 MHz, 350 mW, -200 mA, 60 hFE
Bipolar BJT Transistor PNP 40V 200mA 250MHz 200mW Surface Mount SST3
得捷:
PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
e络盟:
单晶体管 双极, PNP, -40 V, 250 MHz, 350 mW, -200 mA, 60 hFE
艾睿:
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
安富利:
Transistor GP BJT PNP 40V 200mA 3-Pin SOT-23 T/R
SST3906HZGT116中文资料参数规格
技术参数
额定功率 0.2 W
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 350 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 300
额定功率Max 200 mW
直流电流增益hFE 60
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
SST3906HZGT116引脚图与封装图 
在线购买SST3906HZGT116
型号： SST3906HZGT116
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：单晶体管 双极, PNP, -40 V, 250 MHz, 350 mW, -200 mA, 60 hFE