SISS71DN-T1-GE3

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SISS71DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.047 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 4.8 W

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 1050pF @50VVds

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -50 ℃

耗散功率Max 4800 mW

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAK-1212-8

外形尺寸

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

高度 1.04 mm

封装 PowerPAK-1212-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SISS71DN-T1-GE3
型号: SISS71DN-T1-GE3
制造商: VISHAY 威世
描述:晶体管, MOSFET, P沟道, -23 A, -100 V, 0.047 ohm, -10 V, -2.5 V

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