SQ2319ADS-T1_GE3

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SQ2319ADS-T1_GE3概述

P 通道 MOSFET,SQ 坚固系列,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

P 通道 MOSFET,SQ 坚固系列,Vishay Semiconductor


立创商城:
SQ2319ADS-T1_GE3


欧时:
Vishay SQ Rugged 系列 Si P沟道 MOSFET SQ2319ADS-T1_GE3, 2.6 A, Vds=40 V, 3引脚 SOT-23封装


e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, -4.6 A, -40 V, 0.068 ohm, -10 V, -2 V


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


SQ2319ADS-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.068 Ω

耗散功率 2.5 W

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 152pF @50VVds

下降时间 17 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.02 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SQ2319ADS-T1_GE3
型号: SQ2319ADS-T1_GE3
制造商: VISHAY 威世
描述:P 通道 MOSFET,SQ 坚固系列,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

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