SIGC104T170R2CX1SA1

SIGC104T170R2CX1SA1图片1
SIGC104T170R2CX1SA1概述

Trans IGBT Chip N-CH 1.7kV DIE

Summary of Features:

.
Positive temperature coefficient
.
Easy paralleling
.
High robustness

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1700V 3-Pin Die Wafer


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV DIE


SIGC104T170R2CX1SA1中文资料参数规格
技术参数

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

引脚数 3

封装 --

外形尺寸

封装 --

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

制造应用 icon_inddrives

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

SIGC104T170R2CX1SA1引脚图与封装图
SIGC104T170R2CX1SA1电路图
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型号: SIGC104T170R2CX1SA1
制造商: Infineon 英飞凌
描述:Trans IGBT Chip N-CH 1.7kV DIE

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