SQJQ904E-T1_GE3

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SQJQ904E-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.0034 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 75 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 40 V

上升时间 4.6 ns

输入电容Ciss 4530pF @20VVds

下降时间 4 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 75000 mW

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAK

外形尺寸

封装 PowerPAK

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SQJQ904E-T1_GE3
型号: SQJQ904E-T1_GE3
制造商: VISHAY 威世
描述:双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 100 A, 40 V, 0.0034 ohm, 10 V, 2 V

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