SI5922DU-T1-GE3

SI5922DU-T1-GE3图片1
SI5922DU-T1-GE3图片2
SI5922DU-T1-GE3概述

双路场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 30 V, 0.0155 ohm, 10 V, 2.2 V

MOSFET Dual N-Chan 30V PowerPAK ChipFET


立创商城:
2个N沟道 30V 6A


e络盟:
双路场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 30 V, 0.0155 ohm, 10 V, 2.2 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R


SI5922DU-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.0155 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.3 W

阈值电压 2.2 V

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 765pF @15VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2300 mW

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAK ChipFET

外形尺寸

封装 PowerPAK ChipFET

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI5922DU-T1-GE3
型号: SI5922DU-T1-GE3
制造商: VISHAY 威世
描述:双路场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 30 V, 0.0155 ohm, 10 V, 2.2 V

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司