SM8S30AHE3_A/I

SM8S30AHE3_A/I图片1
SM8S30AHE3_A/I概述

ESD 抑制器/TVS 二极管 8W,30V 5%,SMD PAR AEC-Q101 Qualified

48.4V Clamp 136A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-218AB


得捷:
TVS DIODE 30V 48.4V DO218AB


贸泽:
ESD 抑制器/TVS 二极管 8W,30V 5%,SMD PAR AEC-Q101 Qualified


SM8S30AHE3_A/I中文资料参数规格
技术参数

工作电压 30 V

击穿电压 36.8 V

耗散功率 8 W

钳位电压 48.4 V

脉冲峰值功率 6600 W

最小反向击穿电压 33.3 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-218AB-2

外形尺寸

封装 DO-218AB-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

制造应用 汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SM8S30AHE3_A/I
型号: SM8S30AHE3_A/I
描述:ESD 抑制器/TVS 二极管 8W,30V 5%,SMD PAR AEC-Q101 Qualified
替代型号SM8S30AHE3_A/I
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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