SUP60030E-GE3

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SUP60030E-GE3概述

N沟道 80V 120A

N-CHANNEL 80-V D-S MOSFET


立创商城:
N沟道 80V 120A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin3+Tab TO-220AB


安富利:
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin TO-220AB


Verical:
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin3+Tab TO-220AB


SUP60030E-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 3.6 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 375 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 80 V

连续漏极电流Ids 120A

上升时间 24 ns

输入电容Ciss 7910pF @40VVds

下降时间 14 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 375000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

最小包装 50

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SUP60030E-GE3
型号: SUP60030E-GE3
制造商: VISHAY 威世
描述:N沟道 80V 120A

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