SIR638DP-T1-GE3

SIR638DP-T1-GE3图片1
SIR638DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 730uΩ

极性 N-CH

耗散功率 6.25 W

阈值电压 2.3 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 100A

输入电容Ciss 10500pF @20VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 6250 mW

封装参数

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SIR638DP-T1-GE3
型号: SIR638DP-T1-GE3
制造商: VISHAY 威世
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 730 µohm, 10 V, 2.3 V

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