SQJ868EP-T1_GE3

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SQJ868EP-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0062 Ω

极性 N-CH

耗散功率 48 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 40 V

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 1951pF @20VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 48000 mW

封装参数

引脚数 5

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SQJ868EP-T1_GE3
型号: SQJ868EP-T1_GE3
制造商: VISHAY 威世
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 40 V, 0.0062 ohm, 10 V, 3 V

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