SQM120P10_10M1LGE3

SQM120P10_10M1LGE3图片1
SQM120P10_10M1LGE3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 375 W

上升时间 100 ns

输入电容Ciss 6750pF @25VVds

下降时间 200 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 375000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SQM120P10_10M1LGE3
型号: SQM120P10_10M1LGE3
制造商: VISHAY 威世
描述:P沟道 100V 120A

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