SQ4080EY-T1_GE3

SQ4080EY-T1_GE3图片1
SQ4080EY-T1_GE3图片2
SQ4080EY-T1_GE3图片3
SQ4080EY-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.07 Ω

耗散功率 7.1 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 150 V

上升时间 3.2 ns

输入电容Ciss 1100pF @75VVds

下降时间 2.5 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 7100 mW

封装参数

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SQ4080EY-T1_GE3
型号: SQ4080EY-T1_GE3
制造商: VISHAY 威世
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 150 V, 0.07 ohm, 10 V, 3 V

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司