SQJA00EP-T1_GE3

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SQJA00EP-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0105 Ω

耗散功率 48 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 3 ns

输入电容Ciss 1300pF @25VVds

下降时间 22 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 48000 mW

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAK SO

外形尺寸

封装 PowerPAK SO

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SQJA00EP-T1_GE3
制造商: VISHAY 威世
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.0105 ohm, 10 V, 3 V

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