SIHG61N65EF-GE3

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SIHG61N65EF-GE3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 520 W

上升时间 107 ns

输入电容Ciss 7407pF @100VVds

下降时间 133 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 520000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SIHG61N65EF-GE3
型号: SIHG61N65EF-GE3
制造商: VISHAY 威世
描述:Trans MOSFET N-CH 650V 64A 3Pin3+Tab TO-247AC

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