SQM40031EL_GE3

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SQM40031EL_GE3概述

晶体管, MOSFET, P沟道, -120 A, -40 V, 0.0025 ohm, -10 V, -2 V

MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK


立创商城:
P沟道 40V 120A


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功率场效应管, MOSFET, P沟道, 40 V, 120 A, 0.0025 ohm, TO-263 D2PAK, 表面安装


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Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive 3-Pin2+Tab TO-263


Verical:
Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive 3-Pin2+Tab TO-263


SQM40031EL_GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0025 Ω

耗散功率 375 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 40 V

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 30000pF @25VVds

下降时间 165 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 375000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SQM40031EL_GE3
型号: SQM40031EL_GE3
制造商: VISHAY 威世
描述:晶体管, MOSFET, P沟道, -120 A, -40 V, 0.0025 ohm, -10 V, -2 V

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