SQJA96EP-T1_GE3

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SQJA96EP-T1_GE3概述

SQJA96EP-T1_GE3 编带

MOSFET N-CH 80V 30A POWERPAKSO-8


立创商城:
N沟道 80V 30A


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 80 V, 0.0179 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 30A Automotive 8-Pin PowerPAK SO EP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 80V 30A Automotive 8-Pin PowerPAK SO EP


SQJA96EP-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0179 Ω

耗散功率 48 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 80 V

上升时间 3 ns

输入电容Ciss 1200pF @25VVds

下降时间 22 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 48000 mW

封装参数

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SQJA96EP-T1_GE3
型号: SQJA96EP-T1_GE3
制造商: VISHAY 威世
描述:SQJA96EP-T1_GE3 编带

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