SQJB80EP-T1_GE3

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SQJB80EP-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0155 Ω

耗散功率 48 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 80 V

上升时间 3 ns

输入电容Ciss 1015pF @25VVds

下降时间 24 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 48000 mW

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAKSO-8L-4

外形尺寸

封装 PowerPAKSO-8L-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SQJB80EP-T1_GE3
型号: SQJB80EP-T1_GE3
制造商: VISHAY 威世
描述:双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 30 A, 80 V, 0.0155 ohm, 10 V, 2 V

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