SQJ409EP-T1_GE3

SQJ409EP-T1_GE3图片1
SQJ409EP-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0058 Ω

耗散功率 68 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 40 V

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 8400pF @25VVds

下降时间 12 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 68000 mW

封装参数

引脚数 5

封装 PowerPAK SO

外形尺寸

封装 PowerPAK SO

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SQJ409EP-T1_GE3
制造商: VISHAY 威世
描述:晶体管, MOSFET, P沟道, -60 A, -40 V, 0.0058 ohm, -10 V, -2 V

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