SQJA62EP-T1_GE3

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SQJA62EP-T1_GE3概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 0.0037 ohm, 10 V, 2 V

MOSFET N-CH 60V 60A POWERPAKSO-8


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 0.0037 ohm, 10 V, 2 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 75A Automotive 5-Pin4+Tab PowerPAK SO


安富利:
MOSFET N-Channel Automotive 60V 75A 4-Pin PowerPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 75A Automotive 5-Pin4+Tab PowerPAK SO


SQJA62EP-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0037 Ω

耗散功率 68 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 3900pF @25VVds

下降时间 14 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 68000 mW

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAKSO-8L-4

外形尺寸

封装 PowerPAKSO-8L-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SQJA62EP-T1_GE3
型号: SQJA62EP-T1_GE3
制造商: VISHAY 威世
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 0.0037 ohm, 10 V, 2 V

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