STGP4M65DF2

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STGP4M65DF2概述

单晶体管, IGBT, 8 A, 1.6 V, 68 W, 650 V, TO-220, 3 引脚

IGBT 沟槽型场截止 650 V 8 A 68 W 通孔 TO-220AB


得捷:
IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS


贸泽:
IGBT 晶体管 Trench Gate IGBT M Series 650V 4A


e络盟:
单晶体管, IGBT, 8 A, 1.6 V, 68 W, 650 V, TO-220, 3 引脚


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 68000mW 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


安富利:
STMSTGP4M65DF2


STGP4M65DF2中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

耗散功率 68 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 133 ns

额定功率Max 68 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 68000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STGP4M65DF2
型号: STGP4M65DF2
描述:单晶体管, IGBT, 8 A, 1.6 V, 68 W, 650 V, TO-220, 3 引脚

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