STGW60H65DFB-4

STGW60H65DFB-4概述

单晶体管, IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 4 引脚

IGBT 沟槽型场截止 通孔 TO-247-4L


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STGW60H65DFB-4


得捷:
IGBT


贸泽:
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed


e络盟:
单晶体管, IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 4 引脚


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW 4-Pin4+Tab TO-247 Tube


Win Source:
IGBT / IGBT Trench Field Stop 650 V 80 A 375 W Through Hole TO-247-4


STGW60H65DFB-4中文资料参数规格
技术参数

针脚数 4

耗散功率 375 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 60 ns

额定功率Max 375 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 375000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 4

封装 TO-247-4

外形尺寸

封装 TO-247-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STGW60H65DFB-4
型号: STGW60H65DFB-4
描述:单晶体管, IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 4 引脚

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