SSM3K35AMFV,L3F参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SSM3K35AMFV,L3F概述

SSM3K35AMFV,L3F 编带

表面贴装型 N 通道 250mA（Ta） 500mW（Ta） VESM

立创商城:
N沟道 20V 250mA

得捷:
MOSFET N-CH 20V 250MA VESM

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R

SSM3K35AMFV,L3F中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 500mW Ta

漏源极电压Vds 20 V

上升时间 2 ns

输入电容Ciss 36 pF

下降时间 5.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-723

外形尺寸

封装 SOT-723

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

在线购买SSM3K35AMFV,L3F

型号： SSM3K35AMFV,L3F

制造商： Toshiba 东芝

描述：SSM3K35AMFV,L3F 编带