STPSC8H065DLF

STPSC8H065DLF图片1
STPSC8H065DLF概述

二极管, 碳化硅肖特基, 单, 650 V, 8 A, 26 nC, PowerFLAT

二极管 碳化硅肖特基 650 V 8A 表面贴装型 PowerFlat™(8x8)HV


得捷:
DIODE SIL CARB 650V 8A POWERFLAT


欧时:
STPSC8H065DLF, 650V SiC Schottky Diode


e络盟:
二极管, 碳化硅肖特基, 单, 650 V, 8 A, 26 nC, PowerFLAT


艾睿:
Diode Schottky Si 650V 8A 4-Pin Power Flat EP T/R


Verical:
Diode Schottky Si 650V 8A 4-Pin Power Flat EP T/R


STPSC8H065DLF中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.55 V

正向电流 8000 mA

正向电流Max 8 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

工作结温Max 175 ℃

封装参数

引脚数 4

封装 PowerFLAT

外形尺寸

封装 PowerFLAT

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STPSC8H065DLF
型号: STPSC8H065DLF
描述:二极管, 碳化硅肖特基, 单, 650 V, 8 A, 26 nC, PowerFLAT

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司