STPSC4H065DLF

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STPSC4H065DLF概述

二极管, 碳化硅肖特基, 单, 650 V, 4 A, 14.3 nC, PowerFLAT

Diode Silicon Carbide Schottky 650V 4A Surface Mount PowerFlat™ 8x8 HV


得捷:
DIODE SIL CARB 650V 4A POWERFLAT


e络盟:
二极管, 碳化硅肖特基, 单, 650 V, 4 A, 14.3 nC, PowerFLAT


艾睿:
Diode Schottky Si 650V 4A 5-Pin Power Flat EP T/R


Verical:
Diode Schottky Si 650V 4A 5-Pin Power Flat EP T/R


Win Source:
SILICON CARBIDE DIODES / Diode Silicon Carbide Schottky 650 V 4A Surface Mount PowerFlat™ 8x8 HV


STPSC4H065DLF中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.55 V

正向电流 4 A

正向电流Max 4 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

工作结温Max 175 ℃

封装参数

引脚数 5

封装 PowerFLAT

外形尺寸

封装 PowerFLAT

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STPSC4H065DLF
型号: STPSC4H065DLF
描述:二极管, 碳化硅肖特基, 单, 650 V, 4 A, 14.3 nC, PowerFLAT

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